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日本npc西村陶業(yè)半導體陶瓷/液晶制造設(shè)備

訪問次數(shù):1542

更新日期:2024-03-17

簡要描述:

日本npc西村陶業(yè)半導體陶瓷/液晶制造設(shè)備
對于半導體制造設(shè)備,高剛性,加工精度,抗震性,耐熱性,導熱性,表面處理精度,金屬污染,耐化學藥品性,耐氣體性,耐等離子性,絕緣性,介電常數(shù),介電常數(shù)需要各種特性,例如特性,體積電阻,低粉塵產(chǎn)生(顆粒)和成本。

日本npc西村陶業(yè)半導體陶瓷/液晶制造設(shè)備

日本npc西村陶業(yè)半導體陶瓷/液晶制造設(shè)備

半導體陶瓷產(chǎn)品/液晶制造設(shè)備/太陽能

對于半導體制造設(shè)備,高剛性,加工精度,抗震性,耐熱性,導熱性,表面處理精度,金屬污染,耐化學藥品性,耐氣體性,耐等離子性,絕緣性,介電常數(shù),介電常數(shù)需要各種特性,例如特性,體積電阻,低粉塵產(chǎn)生(顆粒)和成本。
Nishimura Suegyo高純氧化鋁作為陶瓷可以響應上述特性(Al 2 O 3 99.7%或更高,Al 2 O 3 99.9%或更高),氮化鋁(ALN),氧化釔(Y 2 0 3和*)。

由于其特性,高純度氧化鋁可用于運輸臂,晶圓臺,RF高頻傳輸窗口等。它還具有出色的金屬化功能。
氮化鋁具有優(yōu)異的導熱性,散熱性,耐熱沖擊性和電絕緣性,并且具有熱膨脹率接近硅晶片的熱膨脹率的特性。
Itria是一種具有出色耐等離子體性的材料。

日本npc西村陶業(yè)半導體陶瓷/液晶制造設(shè)備

案例分析

虛擬晶片(ALN /氧化鋁陶瓷)

 我們制造和銷售高純度ALN(無助劑)和高純度氧化鋁假晶片。
尺寸:z大12英寸         

氧化鋯φ0.1小孔管

 我通過擠壓氧化鋯制成了煙斗。中心有φ0.1孔的管道。

Belger用于耐等離子CVD的材料N-999S

 由高純度的99.9%氧化鋁(N-999S)材料制成,可抵抗半導體制造設(shè)備的等離子體磨損。?

氧化鋁N-999S管

 我們用99.9%的氧化鋁(N-999S)制成了幾乎沒有彎曲的管子(尺寸:φ10+ 0 / -0.05 xφ8+ 0.1 / 0 x 350L)。
將其成型并以0.2mm或更小的翹曲烘烤,而無需拋光內(nèi)徑。                       ?

校正環(huán)(校正板環(huán))

 校正環(huán)(校正板環(huán))這是用于校正Kenma板的板板的環(huán)。由99.7%的氧化鋁制成我們可以根據(jù)您的要求制造尺寸,形狀和精度。?

耐等離子陶瓷U型管

 

 由99.7%的氧化鋁制成的U形管用作半導體制造設(shè)備中的等離子體保護管。?

耐等離子防護罩

 西村陶瓷的半透明氧化鋁N-9000NS用作半導體制造設(shè)備的耐等離子保護蓋。?

耐血漿肘

 2分割彎頭,由高純度氧化鋁制成,具有耐等離子性。    

它具有可以組裝的形狀。?

由高純度氧化鋁N-99(氧化鋁99.7%或更高)制成,用于半導體制造設(shè)備

 由高純度氧化鋁N-99(氧化鋁99.7%或更高)制成的產(chǎn)品用作半導體制造設(shè)備的零件。?
 

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