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        1. 產(chǎn)品展示
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          日本napson非接觸型超低電阻范圍的電阻測量

          訪問次數(shù):1411

          更新日期:2025-05-02

          簡要描述:

          日本napson非接觸型超低電阻范圍的電阻測量PVE-80
          非接觸型(脈沖電壓激勵法)超低電阻范圍的電阻測量系統(tǒng)
          由于是使用脈沖電壓激勵法作為測量原理的非接觸電阻測量系統(tǒng),因此可以在不損壞樣品的情況下進行測量。

          日本napson非接觸型超低電阻范圍的電阻測量

          日本napson非接觸型超低電阻范圍的電阻測量PVE-80

          產(chǎn)品特點

          • 由于是使用脈沖電壓激勵法作為測量原理的非接觸電阻測量系統(tǒng),因此可以在不損壞樣品的情況下進行測量。

          • 節(jié)省空間的設(shè)計主體外殼,便攜式可移動平臺

          • 通過PC(軟件)進行簡單的測量操作,數(shù)據(jù)存儲和管理

          • 測量顯示單元可以根據(jù)應(yīng)用(薄層電阻,電導(dǎo)率,電導(dǎo)率)進行更改

            *本產(chǎn)品使用由我公司與千葉大學(xué)聯(lián)合開發(fā)的脈沖電壓激勵方法(專li號5386394)。

          測量規(guī)格

          測量目標(biāo)

          與新材料/功能材料相關(guān)(碳納米管,DLC,石墨烯,銀納米線等)與
          導(dǎo)電薄膜相關(guān)(金屬,ITO等)
          與化合物半導(dǎo)體相關(guān)(GaAs Epi,GaN Epi,InP,Ga等)
          其他(*查詢)請給我)

          測量尺寸

          ?A4尺寸(W300 x D210mm)

          測量范圍

          50μ?1mΩ/平方

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